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SiTime融合MEMS技术和混合信号设计的产品SiT1576
作者：小扬
日期：2018年12月12日 14:03
浏览量：3167
SiTime的TempFlat MEMS™技术和混合信号设计专业知识使得1.2mm2芯片规模封装中的第一台功率TCXO成为可能——这是世界上最小的封装。典型的核心电源电流在100kHz时只有6.0μA。与标准振荡器不同，SiT1576超级TCXO是在1Hz和2.5MHz之间工厂可编程的。这种独特的，超小型的TCXO以其广泛的频率范围实现了新的体系结构选项。SiT1576是在多个温度点上工厂校准的，以保证非常紧密的频率稳定性，低至±5ppm(初始温度及过温度)。(相关阅读可以查看YXC扬兴官网《MEMS技术给硅晶振带来什么优势》)
频率：1Hz至2.5MHz
频率稳定性(ppm)：±5,±20
工作温度范围(°C)：-20至+70，-40至+85
振荡器类型：Hz-MHz TCXO型振荡器
输出类型：LVCMOS
包类型(mm)：1.5x0.8
特色：低抖动
电压(V)：1.62至3.63
SIT1576特色与效益
工厂可编程频率：1Hz至2.5MHz
针对低功耗架构方案进行优化
超低功率：33kHz时4.5A(典型)，100kHz时6.0A(典型)。
使电池寿命最大化
芯片规模(CSP)的最小占地面积：1.5×0.8mm
节省板空间
±5ppm全包含频率稳定性
改进的本地计时和改进的系统能力，减少对移动和可穿戴设备的网络计时更新的依赖
内部VDD电源滤波
消除外部VDD旁路电容器，保持超小占地面积
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晶振一般可以分为：普通晶振(有源晶振、无源晶振)、温补晶振(温度补偿晶体振荡器)、恒温晶振(恒温控制晶体振荡器)、压控晶振(电压控制晶体振荡器)等几大类型。而细分按外形可分为：
晶振质量的好坏直接影响到电路工作状况，而晶振外壳品质更是影响晶振性能的主要因素之一。晶振外壳采用冲床连续冲压成型，经大量观察和分析发现，主要缺陷有内底面与顶面的凹坑、内底面与顶面的划痕，侧面裂口和侧面挠曲。
5G通信设备遍布在屋顶、电线杆、路边，甚至地下室中各个角落。这意味着更多地暴露在高温、热冲击、振动和广泛变化的气流中;作为NSST(网络、服务器、存储、电信)系统一部分的通信定时装置中的晶振，所受到的环境非常恶劣。
温补晶振，是通过其附加的温度补偿电路使周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。它的温度补偿的原理是通过改变振荡回路中的负载电容，使其随温度变化来补偿谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂移。由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，为了抵消温度对晶振频率的影响，控制晶振的谐振电容随温度变化而变化，抵消温度晶体影响提高频率稳定性。
